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[发明专利]共结晶分子筛整体材料的制备方法-CN201510690463.X有效
发明人：杨贺勤;刘志成;高焕新 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： C01B39/04 文献下载
摘要：本发明通过采用将相分离诱导剂R1、水、磷源、硅源和铝源的混合物水解得到硅磷铝氧化物材料前驱体Ⅰ；将上述前驱体Ⅰ凝胶老化，得到硅磷铝氧化物材料前驱体Ⅱ；硅磷铝氧化物材料前驱体Ⅱ经干燥、焙烧后制得双连续大孔结构的硅磷铝氧化物材料Ⅲ；硅磷铝氧化物材料Ⅲ在含有模板剂的溶液中浸渍，干燥后置于反应釜的上部，反应釜底部加入水或有机胺溶液，然后晶化；晶化结束后对样品进行洗涤、干燥和焙烧得到SAPO/ZSM‑5共结晶分子筛整体材料的技术方案较好地解决了该问题
硅磷铝氧化物材料前驱制备焙烧共结晶分子筛整体材料反应釜晶化分子筛整体材料分子筛浸渍相分离诱导剂多级孔结构分子筛孔径有机胺溶液大孔结构混合物模板剂前驱体共晶硅源可用磷源铝源凝胶水解洗涤老化

[发明专利]多级孔结构SAPO分子筛材料的制备方法-CN201010146933.3无效
发明人：杨贺勤;谢在库;刘志成;高焕新 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
申请日： 2010-04-15 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： C01B39/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种多级孔结构硅磷铝SAPO分子筛整体材料的制备方法，主要解决现有技术难以获得具有多级孔结构SAPO分子筛整体材料的问题。本发明通过采用将相分离诱导剂R1、凝胶促进剂R2、有机溶剂R3、水、磷源、硅源和铝源的混合物水解得到硅磷铝氧化物材料前驱体I；将上述前驱体I凝胶老化，得到硅磷铝氧化物材料前驱体II；硅磷铝氧化物材料前驱体II经干燥、焙烧后制得双连续大孔结构的硅磷铝氧化物材料III；硅磷铝氧化物材料III在含有模板剂的溶液中浸渍，干燥后置于反应釜的上部，反应釜底部加入有机胺溶液，然后晶化；晶化结束后对样品进行洗涤、干燥和焙烧得到多级孔结构
多级结构 sapo 分子筛材料制备方法

[发明专利]二次电池用负极活性物质及其制备方法-CN202210668468.2在审
发明人：文俊亨;朴恩俊;郑周昊;朴贵玉;俞硕根 -专利权人： SK新能源株式会社
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种锂二次电池用负极活性物质，所述锂二次电池用负极活性物质包含硅氧化物(SiOx，0x≤2)复合物，所述硅氧化物复合物包含含有碱金属或碱土金属的磷氧化物以及含有铝的磷氧化物
二次电池负极活性物质及其制备方法

[发明专利]多级孔结构SAPO分子筛整体材料及其制备方法-CN201010146932.9无效
发明人：杨贺勤;谢在库;刘志成;高焕新 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
申请日： 2010-04-15 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： C01B39/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种多级孔结构硅磷铝SAPO分子筛整体材料及其制备方法，主要解决现有技术制备的SAPO分子筛扩散性能较差的问题。本发明通过采用将相分离诱导剂R1、凝胶促进剂R2、有机溶剂R3、水、磷源、硅源和铝源的混合物水解得到硅磷铝氧化物材料前驱体I；将上述前驱体I凝胶老化，干燥后得到硅磷铝氧化物材料前驱体II；硅磷铝氧化物材料
多级结构 sapo 分子筛整体材料及其制备方法

[其他]硅磷铝酸盐及有关结晶氧化物-CN85104928无效
发明人：埃里克·杰勒德·德鲁安尼;罗兰德·冯·鲍尔木斯 -专利权人：美孚石油公司
申请日： 1985-06-27 - 公布日： 1986-12-24 - 主分类号： B01J27/14 文献下载
摘要：硅磷铝酸盐是由包括氧化硅源、氧化铝源和氧化磷源以及一种合适的定向剂的二相反应混合物中结晶出来的。这种硅磷铝酸盐的硅、磷和铝可以各自任意地由其他正四价态、正五价态和正三价态的元素所替代。所生成的结晶氧化物具有离子交换特性，并易于转变成具有催化活性的物质。
硅磷铝酸盐有关结晶氧化物

[发明专利]一种用于甲醇脱水生产二甲醚的流态化催化剂-CN200710176268.0无效
发明人：刘中民;朱书魁;许磊;杨越;杨虹熠;田鹏;孙新德 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2007-10-24 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： B01J21/18 文献下载
摘要：一种用于甲醇脱水反应生产二甲醚的流态化催化剂，为氧化铝、硅铝氧化物、硅铝分子筛、硅磷铝分子筛中的一种或几种的复合物。其中氧化铝为活性氧化铝、拟薄水铝石、假勃母石；硅铝氧化物可采用高岭土、粘土；硅铝分子筛可采用ZSM-5、ZSM-11、Y、丝光沸石、β沸石、MCM-22、MCM-41、MCM-56、MCM-49；硅磷铝分子筛可采用
一种用于甲醇脱水生产甲醚流态化催化剂

[发明专利]一种调节ZSM-5分子筛形貌的方法-CN201710037070.8有效
发明人：熊光;尹金鹏 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： C01B39/40 文献下载
摘要：本发明提供一种气溶胶辅助合成，使用磷物种调节ZSM‑5分子筛的方法。将铝源、硅源、水、磷源混合，搅拌均匀形成混合液，通过气溶胶装置形成气溶胶，经干燥得到无定型硅铝磷氧化物；将上述硅铝磷氧化物与四丙基氢氧化铵水溶液混合，密封，在100‑200℃下进行晶化，晶化时间为3h～
一种调节 zsm 分子筛形貌方法

[发明专利]硅基缺陷掺杂发光薄膜材料的制备方法-CN200810147886.7无效
发明人：张建国 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：硅基缺陷掺杂发光薄膜材料的制备方法，属于半导体光电子材料技术领域，特别涉及半导体硅基发光薄膜材料的制备方法。硅基缺陷掺杂发光薄膜材料是在硅基片上利用三氧化二硼、三氧化二铝、三氧化二镓、三氧化二铟、磷的氧化物、砷的氧化物、锑的氧化物、铋的氧化物这8种材料中的一种或多种和二氧化硅混合的基础上，掺入具有高还原性的单质铝原子接着经过一个非氧化气氛下的高温退火过程，利用单质铝原子的高还原性，使整个薄膜材料体系因欠氧而生成与氧空位相关的缺陷发光中心。这种硅基缺陷掺杂发光薄膜材料可应用于硅基半导体照明。
缺陷掺杂发光薄膜材料制备方法

[发明专利]含高硅沸石的裂解催化剂-CN90104293.5无效
发明人：吕万成;舒兴田;何鸣元 -专利权人：中国石油化工总公司石油化工科学研究院
申请日： 1990-06-20 - 公布日： 1998-02-11 - 主分类号： B01J29/06 文献下载
摘要：本发明涉及含高硅沸石的裂解催化剂，它由１０—３０重％改性高硅沸石和７０—９０重％载体组成，改性高硅沸石为含０．０１—３．０重％磷、０．０１—１．０重％铁或０．０１—１０重％铝（不包括沸石结构中的铝），硅铝比大于１５的ＺＳＭ分子筛、β沸石或丝光沸石，载体为无机氧化物或无机氧化物和高岭土的混合物。
含高硅沸石裂解催化剂

[发明专利]一种用于烃油脱硫的吸附剂组合物及其制备方法-CN201210127207.6有效
发明人：许本静;龙军;田辉平;朱玉霞;孙敏;刘俊 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： B01J20/16 文献下载
摘要：一种用于烃油脱硫的吸附剂组合物及其制备方法，所述吸附剂组合物含有金属促进剂，氧化锌、磷铝酸盐分子筛(壳)/MFI结构硅铝分子筛(核)核壳复合分子筛以及氧化物。所述吸附剂组合物制备方法，包括形成包括锌化合物、促进剂金属化合物、氧化物载体组分和磷铝酸盐分子筛(壳)/MFI结构硅铝分子筛(核)复合分子筛的混合物、焙烧、还原的步骤。所述吸附剂组合物用于烃油吸附脱硫，具有较好的脱硫效果，具有更好的提高汽油辛烷值效果。
一种用于脱硫吸附剂组合及其制备方法

[发明专利]一种多产丙烯的催化裂化催化剂及其制备方法-CN200610167618.2无效
发明人：卓润生 -专利权人：石大卓越科技股份有限公司
申请日： 2006-12-19 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： B01J29/80 文献下载
摘要：一种多产丙烯的催化裂化催化剂其特征为：它是由ZSM－5沸石、Y沸石、一种铁氧化物改性的硅铝氧化物、高岭土、磷氧化物和氧化铝粘结剂构成的一种组合物，其中ZSM－5沸石占1－4％，Y沸石占20－40％、铁氧化物改性的硅铝氧化物占5－20％、磷氧化物占0.5－10％、高岭土占10－40％、氧化铝粘结剂占15－40％。其中铁氧化物改性的硅铝氧化物是由硅酸钠与硫酸铝按SiO₂ 75－80％、Al₂O₃ 20－25％的比例共沉淀和去离子水洗涤后，用0.1－2％的铁氧化物改性后获得的，上述组合物经喷雾干燥成型为微球催化裂化催化剂，其化学组成为：Al₂O₃≥25％、NaO₂≤0.1％、RE
一种丙烯催化裂化催化剂及其制备方法

[发明专利]一种催化裂化丙烯助剂及其制备方法-CN201310215861.7有效
发明人：潘红霞;甘海军;张荣榜 -专利权人：湖北赛因化工有限公司
申请日： 2013-06-03 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： C10G11/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种增产丙烯的催化裂化助剂，按助剂总重计，包括20-60%的HZSM-5分子筛，5-25%的磷铝氧化物，6-12%的硅铝胶载体，其余为高岭土；所述的HZSM-5分子筛SiO2与Al2O3的摩尔比为（25-500）:1；所述磷铝氧化物为磷酸铝；所述硅铝胶载体为硅铝凝胶。
一种催化裂化丙烯助剂及其制备方法

[发明专利]硅基近红外发光薄膜材料的制备方法-CN200810147887.1无效
发明人：张建国 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：硅基近红外发光薄膜材料的制备方法，属于半导体光电子材料技术领域，特别涉及半导体硅基发光薄膜材料的制备方法。硅基近红外发光薄膜材料是在硅基片上利用三氧化二硼、三氧化二铝、三氧化二镓、三氧化二铟、磷的氧化物、砷的氧化物、锑的氧化物、铋的氧化物这8种材料中的一种或多种、二氧化硅以及可发近红外光的稀土离子混合的基础上，掺入具有高还原性的单质铝原子。接着经过一个非氧化气氛下的高温退火过程，利用单质铝原子的高还原性，使整个薄膜材料体系欠氧而生成与氧空位相关的缺陷发光中心。氧空位缺陷发光中心是掺杂的稀土离子近红外发光的高效敏化剂。这种硅基近红外发光薄膜材料可应用于硅基光电集成。
硅基近红外发光薄膜材料制备方法

[发明专利]作为半导体外延薄膜生长用衬底的纤锌矿结构氧化物-CN96190844.0无效
发明人： B·H·T·切尔 -专利权人：中佛罗里达大学
申请日： 1996-06-10 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及作为III-V族氮化物半导体薄膜淀积用晶格匹配衬底的改进的纤锌矿结构氧化物。它包括锂铝氧化物(LiAlO↓[2])、钠铝氧化物(NaAlO↓[2])、锂镓氧化物(GaAlO↓[2])、钠镓氧化物(NaGaO↓[2])、锂锗氧化物(Li↓[2]GeO↓[3])、钠锗氧化物(Na↓[2]GeO↓[3])、钠硅氧化物(Na↓[2]SiO↓[3])、锂磷氧化物(Li↓[3]PO↓[4])、锂砷氧化物(Li↓[3]AsO↓[4])、锂矾氧化物(Li↓[3]VO↓[4])、锂锰锗氧化物(Li↓[2]MgGeO↓[4])、锂锌锗氧化物(Li↓[2]ZnGeO↓[4])、锂镉锗氧化物(Li↓[2]CdGeO↓[4])、锂锰硅氧化物(Li↓[2]MgSiO↓[4])、锂锌硅氧化物(Li↓[2]ZnSiO↓[4])、锂镉硅氧化物(Li↓[2]CdSiO↓[4])、钠锰锗氧化物(Na↓[2]MgGeO↓[4])、钠锌锗氧化物(Na↓[2]ZnGeO↓[4])和钠锌硅氧化物(Na↓[2]ZnSiO
作为半导体外延薄膜生长衬底锌矿结构氧化物

[发明专利]控制拜耳法液体中杂质浓度的方法-CN201980035945.8在审
发明人： A·J·麦金农;B·拉纳;S·戴 -专利权人：美铝澳大利亚有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C01F7/47 文献下载
摘要：控制拜耳法液体中杂质浓度的方法，该方法包括以下步骤：添加除了铝以外的金属的氧化物和/或氢氧化物至具有期望TA的拜耳法液体；形成层状双氢氧化物；和在所述层状双氢氧化物中引入至少一种杂质，其中杂质选自包括磷、钒和硅的组。
控制拜耳法液体杂质浓度方法

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